MSI PRO B760-P WIFI DDR4 Motherboard, ATX - LGA 1700 - DDR4 Mem… ASUS ROG STRIX B760-A GAMING WIFI Intel B760 LGA 1700 white ATX… MB GBT Intel 1700 B760 GAMING X AX DDR4
Официальный рейтинг SiSoftware Официальный рейтинг SiSoftware
Компьютер Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) - подробности
SiSoftware : НаЧало | Команды | Пользователи | Бренды | Компьютеры | Сводные результаты | Индивидуальные результаты
ru Совет дня : Нашли ошубку в переводе? Сообщите о ней нам!
Компьютер
Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600)
Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600)
Наименование Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600)
Бренд
Samsung Samsung
Очков 990 (0)
Платформа Таблетка/МИД
Цена
Лучшее предложение на Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) @ Amazon Лучшее предложение на Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) @ Amazon
Статус Активен
Создан 24 апреля 2015
Индивидуальные результаты 28
Сообщить | Лучшие Компьютеры
Устройства
Samsung Процессор Samsung Exynos 5420 Octa
Samsung Чипсет/Память Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400
Samsung Постоянный накопитель Samsung MAG2GC MMC
ARM Видеоадаптер ARM Mali-T628
  Сообщить | Лучшие Устройства
Место
Хорошая производительность :)
Хорошая производительность :)
Глобальный рейтинг #27 616
Позиция Опережает 83,41% результатов
Квалификация Хорошая производительность :)
Сообщить
Пользователь
Аноним
Аноним
Наименование Аноним
Статус Активен
Страна
Сообщить | Лучшие Пользователи | Создать учетную запись
Команда
Мир
Мир
Наименование Мир
Статус Активен
Страна  
Сообщить | Лучшие Команды | Создать команду
Индивидуальные результаты
Тест Пользователь Команда Компьютер Идентификатор результата Оценка Емкость Скорость Мощность Состояние Платформа Операционная система Создан
Арифметический тест процессора Арифметический тест процессора Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,03ГOПС 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Мультимедийный тест процессора Мультимедийный тест процессора Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 9,49MПиксели/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Арифметический тест Java Арифметический тест Java Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 0,27ГOПС 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Мультимедийный тест Java Мультимедийный тест Java Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,99MПиксели/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Эффективность энергоснабжения процессора Эффективность энергоснабжения процессора Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,32Гб/с 2,13Мб 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Производительность криптографии (Высокая безопасность) Производительность криптографии (Высокая безопасность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 0,16Гб/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Латентность глобальной памяти (Полный произвольный доступ) Латентность глобальной памяти (Полный произвольный доступ) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400 Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2); 2x 1.5GB DDR3 ( 64-bit) PC3-7400 279,6нс 3,00Гб 1,87ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Латентность глобальной памяти (Произвольный доступ внутри страницы) Латентность глобальной памяти (Произвольный доступ внутри страницы) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400 Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2); 2x 1.5GB DDR3 ( 64-bit) PC3-7400 202,7нс 3,00Гб 1,87ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Латентность глобальной памяти (Последовательный доступ) Латентность глобальной памяти (Последовательный доступ) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400 Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2); 2x 1.5GB DDR3 ( 64-bit) PC3-7400 64,4нс 3,00Гб 1,87ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Тест файловой системы Тест файловой системы Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung MAG2GC MMC Samsung MAG2GC MMC (12.7GB, ext4) 60,02Мб/с 12,08Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Тест съемных дисков Тест съемных дисков Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung MAG2GC MMC Samsung MAG2GC MMC (12.7GB, ext4) 2 216,8ИOПС 12,08Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Тест кэш и памяти Тест кэш и памяти Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400 Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2); 2x 1.5GB DDR3 ( 64-bit) PC3-7400 6,72Гб/с 2,13Мб 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Тест пропускной способности памяти Тест пропускной способности памяти Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 PC3-7400 Samsung Exynos 5420 Octa; 2x 1.5GB DDR3 ( 64-bit) PC3-7400 1,93Гб/с 3,00Гб 1,87ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Тест скорости визуализации Тест скорости визуализации Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 420MHz) 8,40MПиксели/с 24СП 0,42ГГц Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 24 апреля 2015
Арифметический тест GP (GPU) Арифметический тест GP (GPU) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 3,24MПиксели/с 6КУ 0,53ГГц Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 22 апреля 2015
Пропускная способность памяти GP (GPU) Пропускная способность памяти GP (GPU) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 0,94Гб/с 2 816Мб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Производительность криптографии (Стандартная безопасность) Производительность криптографии (Стандартная безопасность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 0,22Гб/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Латентность глобальной памяти GP (Произвольный доступ внутри страницы) Латентность глобальной памяти GP (Произвольный доступ внутри страницы) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 625,8нс 2,75Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Латентность глобальной памяти GP (Полный произвольный доступ) Латентность глобальной памяти GP (Полный произвольный доступ) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 815,2нс 2,75Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Латентность глобальной памяти GP (Последовательный доступ) Латентность глобальной памяти GP (Последовательный доступ) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 280,6нс 2,75Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Постоянная латентность памяти GP (Произвольный доступ внутри страницы) Постоянная латентность памяти GP (Произвольный доступ внутри страницы) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 343,0нс 2,75Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Латентность разделяемой/локальной памяти (Произвольный доступ внутри страницы) Латентность разделяемой/локальной памяти (Произвольный доступ внутри страницы) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) ARM Mali-T628 ARM Mali-T628 (6CU 24SP 533MHz 2.8GB) 329,9нс 2,75Гб Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 8 апреля 2015
Финансовый анализ (Нормальная точность) Финансовый анализ (Нормальная точность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,50КOПT/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Финансовый анализ (Высокая точность) Финансовый анализ (Высокая точность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,72КOПT/с 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Научные вычисления (Нормальная точность) Научные вычисления (Нормальная точность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 1,89ГФЛОПС 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
Научные вычисления (Высокая точность) Научные вычисления (Высокая точность) Аноним Аноним Мир Мир Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Galaxy Note 10 2014 (P600) Samsung Exynos 5420 Octa Samsung Exynos 5420 Octa (4C + 4c 1.90GHz, IMC, 2MB L2) 0,46ГФЛОПС 4КУ 1,90ГГц2,0Вт Нормальный режим Таблетка/МИД 4.4.2 20 апреля 2015
0 - 1 (28)  Далее > В конец
Новости | Обзоры | Политика безопасности | Лицензия | Контакты
Все бренды принадлежат их правообладателям. Примечание: Этот сайт не модерируется. Если вы обнаружите ненормативный пост, сообщите нам.
ru   © SiSoftware 1995-Present. Все права защищены.  Перевод на русский язык - И.С.Мареев, BenchmarkHQ.